
Forscher entwickeln Schutzkonzept für IGBT aus Siliziumkarbid
Bei Fehlern drohen in leistungsstarken Wechselrichtern extrem hohe Kurzschlussströme. Nun haben Wissenschaftler ein innovatives Verfahren entwickelt, um die Bauelemente zu sichern. Quelle: PV RSS-Newsfeed von www.photovoltaik.eu Weiterlesen








