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Forscher entwickeln Schutzkonzept für IGBT aus Siliziumkarbid

Bei Fehlern drohen in leistungsstarken Wechselrichtern extrem hohe Kurzschlussströme. Nun haben Wissenschaftler ein innovatives Verfahren entwickelt, um die Bauelemente zu sichern.

Quelle: PV RSS-Newsfeed von www.photovoltaik.eu

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